1. 嚴(yán)格環(huán)境控制要求
鈣鈦礦材料對溫濕度極為敏感。測試必須在恒溫（建議25±1℃）、恒濕（RH<30%）的環(huán)境艙或手套箱內(nèi)進(jìn)行，避免水氧滲透導(dǎo)致器件性能漂移或失效。非受控環(huán)境下的測試數(shù)據(jù)無效。
2. 光強(qiáng)校準(zhǔn)與光譜匹配
必須使用AAA級太陽模擬器，確保光譜匹配度（AM1.5G）誤差<±5%，空間不均勻性<±2%。鈣鈦礦對光譜響應(yīng)獨(dú)特，需定期用標(biāo)準(zhǔn)電池校準(zhǔn)光強(qiáng)計(jì)，避免因光譜失配導(dǎo)致效率測量偏差。
3. 超短脈沖與掃描速度優(yōu)化
鈣鈦礦在持續(xù)光照下易發(fā)生離子遷移退化。IV測試應(yīng)采用毫秒級脈沖寬度（建議<50ms）和高速掃描（單次掃描<10ms），配合多通道延遲觸發(fā)技術(shù)，大限度減少光致衰減對測試結(jié)果的影響。
4. 接觸壓力與無損探針技術(shù)
鈣鈦礦薄膜脆弱易損。測試時(shí)需采用微牛頓級接觸壓力探針（如碳納米管探針或柔性電極），避免機(jī)械損傷。同時(shí)配置自動(dòng)對位系統(tǒng)，確保探針精準(zhǔn)接觸電極而不劃傷活性層。
5. 遲滯效應(yīng)分析與預(yù)處理
鈣鈦礦存在顯著IV遲滯現(xiàn)象。測試流程需包含預(yù)光照穩(wěn)定化步驟（如白光預(yù)處理60秒），并記錄雙向掃描曲線（正向/反向電壓掃描）。報(bào)告中必須注明掃描方向和預(yù)處理?xiàng)l件，否則數(shù)據(jù)不可比。
6. 動(dòng)態(tài)范圍與低噪聲設(shè)計(jì)
鈣鈦礦組件電流密度較低（約20mA/cm²）。測試儀需具備pA級電流分辨率和μV級電壓精度，電學(xué)噪聲控制在nA以下。四線制開爾文連接，消除導(dǎo)線電阻影響，確保弱光性能測試準(zhǔn)確性。
